TYDEN.CZ, 2.10.2018.
Francouz Gérard Mourou, jeden ze tří...
Nacházíte se
Významné výsledky oddělení 14
Znovu byl otevřen neuspokojivě vyřešený problém relativistické transformace teploty, která hraje rozhodující roli v relativistické fyzice tepelných jevů a v kosmologii. Ukázali jsme, že původ tzv. Mosengeilovy-Ottovy antinomie a dalších spřízněných paradoxů je třeba hledat ve špatném porozumění fyzikálnímu významu teploty a používání Plankova předpokladu o Lorenzově invarianci entropie. Celý text »
Rekordní vlnová délka emitovaná z InAs/GaAs kvantových teček - (maximum při 1580 nm)
Pro přenos dat ve vláknových světlovodech se využívají vlnové délky kolem 1300 a 1550 nm (okna křemenných vláknových světlovodů – minimální disperze a útlum). Jednoduchá struktura InAs kvantových teček (KT) připravená metodou epitaxe z organokovových sloučenin (MOVPE) v módu Stranského-Krastanowa na GaAs podložce emituje obvykle na vlnových délkách kolem 1200 nm. Aby byla vlnová délka emise z KT posunuta do požadované oblasti, musí být InAs KT připravovány v sofistikovanějších strukturách (vrstvení KT, snížení pnutí pomocí krycích vrstev nebo pseudomorfních podkladových vrstev).
Celý text »
Našli jsme originální metodu, jak charakterizovat elektrostatické stínění elektronového plynu pomocí vysoce citlivého kapacitního mostu. Touto metodou jsme měřili za nízkých teplot (1,2 K−4 K) průběh hustoty stínících elektronových stavů v nízkodimenzionální polovodičové struktuře v závislosti na magnetickém poli. Z tvaru křivek získaných při různých teplotách jsme usoudili, že v režimu kvantového Hallova jevu dochází při určitých magnetických polích k transformaci dvojdimenzionálního elektronového plynu na jednodimenzionální vodivé kanály (tzv. dračí křivky). Celý text »
Diamant legovaný borem je materiál slibný pro různé aplikace v biologii a elektrochemii, který vykazuje pozoruhodné transportní vlastnosti včetně supravodivosti. Porozumění mechanismu elektronového transportu v tomto materiálu je zajímavý fyzikální problém, jehož vyřešení má význam jak aplikační, tak i jako vodítko pro studium jiných supravodičů. Celý text »
Kvantové tečky na bázi InAs/GaAs jsou perspektivními strukturami do aktivních oblastí laserů a optických zesilovačů používaných pro přenos dat optickými vláknovými vlnovody.
V laboratoři MOVPE (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy) oddělení polovodičů připravujeme InAs/GaAs kvantové tečky metodou organokovové epitaxe ve Stranskeho-Krastanowově módu růstu.
Podařilo se nám nalézt nový způsob monitorování vzniku InAs kvantových teček v MOVPE reaktoru.
Celý text »FZÚ v médiích
FEEDIT.CZ, 20.9.2018.
Už od roku 2005 se z podnětu Evropské...
21.století, 24.7.2018.
V neděli začala na brněnském výstavišti...