Studium vakancí a jejich komplexů v nitridových polovodičích

Vakance - defekty, kdy v krystalové mříži chybí některý atom - jsou velmi důležité a hojně se vyskytující defekty v polovodičích a významně ovlivňují jejich vlastnosti. Přestože jsou nitridové polovodiče široce využívané v polovodičovém průmyslu a staly se druhým nejvýznamnějším polovodičem po křemíku o vakancích, jejich chování a vzniku v nitridových heterostrukturách se toho doposud mnoho neví. Ve spolupráci s katedrou Fyziky nízkých teplot MFF UK se snažíme v rámci tohoto tématu odhalit souvislosti mezi vznikem vakancí III. skupiny a technologickými parametry přípravy vrstev GaN, AlGaN a InGaN, zjistit technologické parametry, které mohou ovlivnit tvorbu vakancí, případně, které ovlivňují shlukování vakancí do větších klastrů nebo vytváření komplexů vakancí s jinými bodovými defekty. Důležitou součástí výzkumu je také studium souvislostí mezi koncentrací vakancí, případně jejich komplexů, a vlastnostmi nitridových polovodičů. Hlavní charakterizační metoda pro studium vakancí je pozitronová anihilační spektroskopie, která je prováděna na MFF UK. Výsledky práce by měly být velmi důležité pro zlepšení technologie přípravy nitridových polovodičů a jejich vlastností.