Činnost

Polovodičové lasery, svítivé diody a laserové struktury, především pro vlnové délky ve střední infračervené oblasti. Scintilátory a HEMTy založené na strukturách na bázi GaN. Epitaxní technologie (dříve LPE a MBE, nově MOVPE), prvků třetí a páté skupiny periodické tabulky (konkrétně InAs/GaAs a In(Al,Ga)N/GaN) pro přípravu heterostruktur a nanostruktur, jako jsou kvantové jámy a kvantové tečky. Charakterizace optických, elektrických a strukturních vlastností polovodičů s ohledem na aplikace v praxi.

ORCID 0000-0002-2093-2994