UPT- 5331
| Výzkum kontrastu v dopovaných polovodičích v nízkoenergiovém rastrovacím elektronovém mikroskopu s mezními parametry |
Náplní projektu je studium faktorů ovlivňujících vznik kontrastu obrazu dopované oblasti s použitím nízkoenergiového rastrovacího elektronového mikroskopu. Injekce nosičů do rozhraní p-n přechodu v dopovaných vzorcích bude zkoumána jak planárně, tak v řezu vícevrstvou strukturou. K tomu účelu poslouží REM již dříve adaptovaný pro práci s nízkou energií.
Kromě zkoumání úhlové emise
SE a BSE pomocí speciálního detektoru mikroskop umožní reprodukovatelné nastavení energie dopadu s přesností až setin eV. Řízené nastavení dopadajících elektronů do hloubky srovnatelné s rozměry ochuzené vrstvy umožní vysvětlit změny kontrastu vznikajícího na p–n přechodu polovodičů s různým typem vodivosti. Experimenty budou probíhat na zařízeních různých technických parametrů vybavených SLEEM modem. Na základě získaných poznatků pak bude možné určit údaje o elektronové struktuře materiálů včetně stanovení koncentrace příměsí v daném polovodiči.
|
| Řešitel: | Mika Filip | Ústav přístrojové techniky - Akademie věd České republiky, v.v.i. |
| Agentura: | GA ČR |
| Reg. č.: | GP102/09/P543 |
| Trvání: | 01:01:2009 - 31:12:2010 |
