Hledáme alternativní cestu přípravy Si nanokrystalů, a to krystalizací
amorfního křemíku pomocí ostrého hrotu v mikroskopu atomárních sil
(AFM). Na předem daných místech v tenké vrstvě amorfního křemíku
vytvoří procházející elektrický proud mikroskopické prohlubně s
vysokou elektrickou vodivostí. Tato vysoká vodivost je připisována
vzniku křemíkových krystalů. To je potvrzeno i měřením Ramanova
rozptylu. V závislosti na dodané energii mohou mít krystalické oblasti
podobu teček nebo kroužků. Vyvinutý postup se podařilo optimalizovat a
dosáhnout tak krystalků menších než 100 nm resp. vytvořit
mmikroskopické matice z těchto krystalků. Tyto výsledky jsou slibné pro
aplikace v mnoha oborech, od optoelektroniky po nanobiotechnologie.
[B. Rezek et al., Nanotechnology 20 (2009) 045302 a také v médiích
NanoTechWeb a MaterialsToday]
Pro aplikace v bio-elektronice, tkáňovém inženýrství, protetice a
biotechnologiích všeobecně je třeba vyvinout nové typy senzorů a
biologických rozhraní. Zkoumáme proto ve spolupráci s 1.LF UK vytváření
uspořádaných struktur lidských buněk (osteoblastů a další) na diamantu jako
novém bio-materiálu. To je řízeno tím, že vlastnosti povrchu diamantu jsou
mikroskopicky ovlivněny lokálním zakončením povrchu kyslíkovými nebo
vodíkovými atomy (vzor zviditelněn elektronovým mikroskopem SEM). Ve
fluorescenčních obrázcích jsou zeleně znázorněna aktinová vlákna a modře
buněčná jádra. Obrázky ilustrují stav po 2 dnech inkubace při počáteční
koncentraci 2500 buněk/cm2 a šířce vzorů 30 μm. Tvar buněk odpovídá
dobrému přilnutí ke kyslíkem zakončenému povrchu.
[B. Rezek et al., Sensors 9 (2009) 3549]
Pro fotovoltaické články lze použít nejen křemík, ale i
kompozitní vrstvy vodivého polymeru jako elektronového
donoru a fulerenu jako elektronového akceptoru, které vytváří
mikroskopickou heterostrukturu. Měření mikroskopem AFM
umožnilo zviditelnit lokální strukturní a elektronické
vlastnosti této heterostrukury. Morfologie a lokální vodivost
jsou doplněny mapou chemického složení získanou z mikro-
Ramanovského spektrometru. Toto srovnání odhalilo, že fuleren
segreguje do dendritů. Vodivá polymerní matrice v těchto
mikroskopických místech zkratuje fotovoltaický článek a
výrazně snižuje jeho celkovou účinnost. Výsledky jsou zásadní
pro optimalizaci organických slunečních článků a vyhrály také v
prestižní soutěži pro kalendář firmy Veeco.
[J. Čermák et. al, phys. stat. sol. (RRL) 1 (2007) 193)]
Luminiscencí nazýváme proces, při kterém materiál emituje světlo v důsledku dopadu energetického
fotonu (foto-luminiscence) či vlivem přiloženého elektrického pole (elektro-luminiscence). Materiály,
které vykazují silnou luminiscenci, lze potom za jistých podmínek využít pro přípravu
elektroluminiscenčních diod (tzv. LED) nebo laserů. Všeobecně se pro tyto účely dnes využívá řada
různých polovodičových a organických materiálů, ovšem s výjimkou krystalického křemíku. Ten je
zatím hojně používaný především v mikroelektronice, např. v počítačových čipech, které jsou téměř
výhradně křemíkové. Možnost vytvořit křemíkový laser je předmětem intenzivního výzkumu, kterému
se věnuje i řada gigantických společností mikroelektronického průmyslu, jako např. Intel. Úspěšná
realizace křemíkového laseru by vedla k zásadnímu přebudování architektury počítačových
čipů, v nichž by k přenosu a zpracování informace bylo využito světla (fotonů). To by umožnilo přenos
dat rychlostí světla a zpracování obrovského množství informace najednou. Krystalický křemík je pro
výrobu laseru zcela nevhodný (nejeví luminiscenci!), ovšem křemíkové nanokrystaly (o průměru 2-5
nanometrů) vykazují velmi silnou luminiscenci (viz obrázky) a zdají se být dobrým kandidátem. Na
našem oddělení připravujeme tyto nanokrystaly elektrochemickým leptáním krystalického křemíku a
zabudováváme je do transparentní matrice nebo rozpouštíme v organických rozpouštědlech. Cílem je
najít materiál vhodný pro přípravu křemíkového laseru.
[Kůsová et al., Physica E 41 ( 2009), 982; Dohnalová et al., Appl. Phys. Lett. 94 ( 2009), 211903]
Aby byl nějaký materiál vhodný pro laser, potřebujeme v něm dosáhnout stimulované emise, tj.
koherentního zesílení světla na určité vlnové délce. Stimulovanou emisi lze studovat několika
technikami, z nichž nejvhodnější je v případě křemíku metoda excitačního proužku. Materiál je
osvětlován velmi intenzivním UV laserem ve formě tenkého proužku, jehož délka se mění. Pokud
materiál na tuto excitaci reaguje exponenciálním nárůstem intenzity vystupujícího světla, je schopný
dosáhnout stimulované emise. Touto technikou na našem oddělení zkoumáme vzorky obsahující velké
množství hustě zabudovaných křemíkových nanokrystalů v matrici SiO2. Podařilo se nám prokázat
existenci zesílení světla, které je ovšem nutné pro úspěšnou aplikovatelnost zvýšit. Toho lze
dosáhnout optimalizací technologie přípravy vzorků, čímž se intenzivně zabýváme.
[Dohnalová et al., J. Phys. D 42 (2009), 135102; Dohnalová et al., New J. Phys. 10 (2008), 063014]
Sluneční články založené na tenkých vrstvách dosahují několikrát rychlejší energetické návratnosti než běžné deskové
články. Ročně se takových článků ve světě vyrobí již miliony m2. Nejlepší výsledky se čekají od nanostrukturních
tenkých vrstev, tzv. mikrokrystalického nebo nanokrystalického křemíku, pro které ale potřebujeme najít nové metody pro měření vlastností s rozlišením až do oblasti nanometrů.
Základem takových metod může být právě mikroskopie atomárních sil (AFM). V naší laboratoři jsme v tomto oboru
jako první na světě použili AFM kombinované s měřením lokálního proudu (viz obr. vpravo) pro studium jednotlivých
zrn v mikrokrystalickém křemíku. [B. Rezek, J. Stuchlík, A. Fejfar, J. Kočka, Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1475]
Výsledky získaly světový ohlas a podporu v rámci mezinárodních projektů např. od japonské vládní organizace NEDO
(New energy development organization).
Měření jednotlivých zrn v mikrokrystalickém křemíku.
a) topografie zrn měřená pomocí AFM
b) současně měřená mapa lokální vodivosti. Přitom měříme proud tekoucího z hrotu AFM přes vzorek do spodní elektrody.
[T. Mates et al., J. No n-Crystalline Solids, 352 (2006) 1011.]
Měření provedl v rámci své doktorské práce Dr. T. Mates,
který nyní pracuje na vývoji slunečních článků ve
Švýcarsku ve firmě Oerlikon Solar.
Měření hranic zrn v polykrystalickém křemíku.
a) topografie zrn měřená pomocí AFM,
b) povrchový potenciál měření Kelvinovskou mikroskopií,
c) stupeň neuspořádanosti krystalické mřížky na hranicích zrn mapovaný šířkou TO-LO pásu v Ramanově rozptylu a
d) vnitřní pnutí na hranicích zrn odvozené z polohy pásu.
Ramanovské mapy jsou složené z barevných bodů umístěných přes obrázek z optického mikroskopu.
[S. Honda et al., J. Non-Crystalline Solids, 354 (2008) 2310.]
Měření provedl Dr. S. Honda, který se k nám přišel naučit tyto metody z Japonska, a poté, co v Praze obhájil
doktorskou práci, pracuje nyní pro největšího světového výrobce slunečních článků Sharp Solar.
První kontrolovaná manipulace jednotlivých atomů pomocí rastrovacího tunelovacího mikroskopu, známého jako STM (Scanning Tunneling Microscope), byla provedena v roce 1989, když byl při teplotě -265 C z atomů xenonu vytvořen nápis IBM . Od té doby vývoj pokročil, ale stále platí
několik limitujících faktorů pro jejich praktické využití: (i) nutnost specifických vlastností daného povrchu (mikroskop STM může pracovat pouze s
vodivými materiály); (ii) nutnost velmi nízkých teplot a krátká životnost (řádově sekundy) získané atomární struktury.
Omezení na elektricky vodivé povrchy překonává mikroskop atomárních sil (AFM - Atomic Force Microscope) umožňující charakterizaci
povrchu vodičů, polovodičů i izolátorů v různém prostředí (vakuum, běžná atmosféra, kapaliny, ...). Díky tomu se metoda AFM stala základním
nástrojem charakterizace povrchů, mechanických vlastností (tření, adheze a tvrdost), ale také nástrojem pro studium biologických systémů, například
mechanických vlastností proteinů . Princip AFM je založen na změně oscilační frekvence ostrého hrotu upevněného na konci pružného raménka, která
je přímo úměrná velikosti interakce se zkoumaným povrchem. Pokud se hrot nachází dostatečně blízko zkoumaného povrchu (cca 0,5 nm, tj.
miliontiny milimetru), pak změna oscilační frekvence udává sílu chemické vazby mezi jednotlivými atomy na povrchu a vrcholovým atomem hrotu
(viz. obr. b).
Zatímco zásadním výsledkem mezinárodního týmu vědců z
Japonska, Španělska a České republiky byla v roce 2007
presentace nové metody pro chemickou identifikaci jednotlivých
atomů (Nature 446, 64 (2007)), stejnému týmu se podařilo v práci
publikované dne 16. října 2008 v časopise Science představit
novou metodu atomární manipulace, která umožňuje „psát“ na
povrch pevné látky pomocí jednotlivých atomů, podobně
jako psací pero. Možnosti nové metody tým demonstroval
vepsáním symbolu „Si“ na povrch pevné látky (symbol „Si“ byl
zvolen záměrně, neboť právě atomy křemíku byly použity jako
„inkoust“). Experiment byl proveden při pokojové teplotě, což
výrazně rozšiřuje možnosti využití atomární manipulace v oblasti
nanotechnologií.
Nová metoda umožňuje nejenom zápis, ale i kontrolované
vymazání již vytvořených atomárních vzorů. V článku tým autorů
poprvé představil novou metodu a také detailně vysvětlil její
mechanismus na základě kvantových výpočtů.
[Y.Sugimoto, P. Pou, O. Custance, P. Jelínek, M. Abe, R. Perez, S. Merita: Complex Patterning by Vertical
Interchange Atom Manipulation Using Atomic Force Microscopy. Science 322 (2008) 413 - 417]
Teoretické simulace vedou k pochopení procesu
atomární manipulace a umožňují optimalizovat samotný
proces. Studium manipulací na atomární úrovni mimo
jiné významně přispívá k hlubšímu pochopení původu
tření. Počítačové simulace nám také dovolují hlubší
pochopení procesů transportu elektronu v nano-strukturách a jejich atomární uspořádání. Studium
transportu elektronů v nanostrukturách je klíčovým
předpokladem pro konstrukci nových nano-elektronických součástek.
[P.Jelínek, M. Švec, P. Pou, R. Perez, V. Cháb, Phys. Rev. Lett. 101, 176101 (2008)]
Systém olovo na křemíku (Pb/Si)/Si je zajímavý silným vlivem kvantových jevů, tzv. “quantum
size effect” (QSE), které přímo ovlivňují fyzikální i chemické vlastnosti nano-materiálu, a mají tak
vliv na dynamiku růstu nano-ostrůvků a jejich výsledný tvar. Díky QSE je možné snadno docílit
samovolného růstu ostrůvků s téměř identickými rozměry, ovlivňovat množství ostrůvků na
povrchu i měnit topologii nové vrstvy ostrůvku v průběhu růstu. Pochopení samouspořádavacích
procesů na atomární úrovni může významě přispět k novým a snadnějším nanotechnologiím
přípravy elektronických součástek příští generace.
Obrázek ukazuje počítačové simulace růstu nano-struktur olova na povrchu křemíku. První řada
zobrazuje prstenčitý růst v energeticky výhodnějších dvojvrstvách při teplotě -90°C těsně po
depozici, v čase 0,5min a 3 minuty po deposici. V druhé řadě jsou zobrazeny simulace růstu při
teplotě -230°C v místě schodu na Si povrchu. Obě poloviny ostrůvku se liší výškou o jednu vrstvu a
díky QSE je povrch jedné poloviny ostrůvku stabilní (světlejší část) a druhá část je nestabilní
(tmavší část). Rozdíly ve fyzikálních vlastnostech stabilní a nestabilní části vedou k rozdílným
podmínkám pro vznik zárodků.
[Z.Kuntová, M.C. Tringides, Z. Chvoj: Physical Review B 78 (2008) 155431(1) - 155431(11)]