Podíleli jsme se na studiu elektromagnetických vlastností špičkových masivních vysokoteplotních supravodičů typu (Nd,Eu,Gd)BaCuO, v nichž dopování nepatrným množstvím kysličníku Nb, Mo nebo Ti vedlo k podstatnému zvýšení hustoty kritického proudu. V materiálu dopovaném Nb2O5 dosáhla hustota kritického proudu v remanentním stavu a při 4,5 T rekordních hodnot 925 kA/cm2 (65 K) a 100 kA/cm2 v nulovém poli při 90 K [1]. Tato poslední hodnota je přitom považována za dobrý standard u běžného YBaCuO při teplotě kapalného dusíku, 77,3 K!
Ve spolupráci s kolegy z Jiao Tong University v Šanghaji jsme se podíleli na výzkumu růstu tenkých vrstev REBaCuO (RE=Y,Sm) s různou růstovou orientací. Kromě důležitosti samotného pochopení mechanismu řízeného růstu tenkých vrstev s různou orientací, přechody mezi různě orientovanými zrny mohou v budoucnosti sloužit za efektivní Josephsonovské přechody pro elektronické aplikace [2-4].
[1] M. Muralidhar, M. Jirsa et al., Record flux pinning in melt-textured NEG-123 doped by Mo and Nb nanoparticles, Appl. Phys. Letters 92, 162512 (2008), doi:10.1063/1.2908929
[2] Y. Q. Cai et al., Preferential Growth and Peculiar Interfacial Atomic Configuration of the YBCO Liquid-Phase Epitaxial Film with 45° In-Plane Alignment, Cryst. Growth Des. 7 (2009) 3218-3221, doi:10.1021/cg801269z
[3] L. J. Sun et al., Real-Time Observation of Growth and Orientation of Sm-Ba-Cu-O Phases
on a Sm-211 Whisker Substrate by High-Temperature Optical Microscopy, Cryst. Growth Des. 9 (2009) 898-902, doi:10.1021/cg8006525
[4] Ch. Y. Tang et al., Crystallographic Axis Transition of Sm1+xBa2-xCu3O7-δ Film Prepared by Liquid Phase Epitaxy (LPE), Cryst. Growth Des. 9 (2009) 1339-1343, doi:10.1021/cg800443q
Copyright © 2008-2010, Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
