EMPLOYEE DETAILS
Jan Grym, Ph.D.
Position: Postdoctoral fellow
Department: Department of Semiconductor Technology
Phone: +420 266 773 417
+420 266 773 496
Fax: +420 284 680 222
Email: grym@ufe.cz
Personal www: http://www.ufe.cz/~grym/
Location: Main building of IPE, Praha 8 - Kobylisy
Room: 0/22, I/4
CURRENT RESEARCH PROJECTS
Principal investigator of the projects:
Lattice mismatch compensation in heteroepitaxy on micro and nanoporous A3B5 semiconductors and deposition of metals and semiconductors into micropores
Period: 2010-01-01 - 2012-12-31
Epitaxní vrstvy InP připravené z taveniny obsahující prvky vzácných zemin: růst, charakterizace a aplikace v detektorech záření.
Period: 2008-01-01 - 2010-12-31
InP Epitaxial Layers Prepared from Rare-Earth Treated Melts: Growth, Characterization, and Application in Radiation Detectors
Period: 2008-01-01 - 2010-12-31

Member of the projects:
Úloha přechodových kovů a prvků vzácných zemin v přípravě materiálů na bázi InP pro detektory záření.
Period: 2009-01-01 - 2011-12-31
Metallic nanolayers for semiconductor sensor and detector structures
Period: 2009-01-01 - 2011-12-31