Fyzikální ústav Akademie věd ČR

FZÚ v médiích

Technology World, 5.12.2010.

7. a 8. prosince 2010 se představí...

Český rozhlas, pořad Rentgen, 2.12.2010.

Evropská organizace...

Lidové noviny, 30.11.2010.

Rozhovor s Martinem Schnablem z...

Development of the 1st generation laser-produced plasma source for EUV lithography

Seminář Pátek, 19. listopad 2010 - 10:00 - 11:00

Přednášející: Hakaru Mizoguchi (Gigaphoton Inc., Japan)
Místo: Zasedací sál Fyzikálního ústavu AV ČR, v.v.i.
Pořadatelé: Oddělení diodově čerpaných laserů
Jazyk přednášky: anglicky

We report on latest status of the 1st generation laser-produced plasma source system ("ETS" device) for EUV lithography. The device consists of the original concepts: (1) CO2 laser driven plasma, (2) hybrid CO2 laser system that is combination of high speed (>100 kHz) short pulse oscillator and industrial cw-CO2 laser, (3) magnetic mitigation, and (4) double pulse EUV plasma creation. Maximum burst on time power is 104 W (100 kHz, 1.0 mJ EUV power @ intermediate focus), laser-EUV conversion efficiency is 2.5 %, duty cycle is 20 % at maximum. Continuous operation time is so far up to an hour.

Přílohy

Copyright © 2008-2010, Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.