Hledáme alternativní cestu přípravy Si nanokrystalů, a to krystalizací amorfního křemíku pomocí ostrého hrotu v mikroskopu atomárních sil (AFM). Na předem daných místech v tenké vrstvě amorfního křemíku vytvoří procházející elektrický proud mikroskopické prohlubně s vysokou elektrickou vodivostí. Tato vysoká vodivost je připisována vzniku křemíkových krystalů.
To je potvrzeno i měřením Ramanova rozptylu. V závislosti na dodané energii mohou mít krystalické oblasti podobu teček nebo kroužků. Vyvinutý postup se podařilo optimalizovat a dosáhnout tak krystalků menších než 100 nm resp. vytvořit mmikroskopické matice z těchto krystalků. Tyto výsledky jsou slibné pro aplikace v mnoha oborech, od optoelektroniky po nanobiotechnologie. Vedly také k udělení národního patentu.
B. Rezek et al., Nanotechnology 20 (2009) 045302 a také v médiích NanoTechWeb a Materials Today LABORATORY OF FUNCTIONAL NANO-INTERFACES
