DETAILY PROJEKTU
| Název: | Tvorba a charakterizace samoorganizovaných pórů v heterostrukturách InGaP/GaAs |
| Poskytovatel: | Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR |
| Řešitel: | Doc. Petar Gladkov, Ph.D. |
| Od: | 2003-10-01 | |
| Do: | 2005-12-31 | |
Vytváření pórovité struktury umožňuje ovlivňovat základní vlastnosti polovodičových materiálů [1]. Porézní struktury A3B5 mají ve srovnání s porézním křemíkem základní výhodu v přímozonné pásové struktuře a možnosti měnit šířku zakázaného pásu.