Laboratoř
MOVPE
|
![]() |
Laboratoř MOVPE - růst A III B V polovodičových struktur zejména na bázi GaAs a GaSb epitaxí z organokovových sloučeninpomocí MOVPE aparatury AIXTRON 200Předchozí technologické zkušenosti: růst A III B V polovodičů pomocí kapalné epitaxe (LPE) a příprava objemových krystalů (GaSb, GaAs). Vedoucí laboratoře : Eduard Hulicius
|
Linky:
|
e-mail laboratoře: movpe@fzu.cz | English version |