Fyzikální ústav Akademie věd ČR

FZÚ v médiích

Objev černých děr v nejstarších galaxiích

Český rozhlas Vltava, 27.6.2011.

Celý text >>
Kulatý stůl - Astronomie a současnost

WWW.ASTRO.CZ, 24.6.2011.

V pátek 24. června 2011 připravuje TV...

Celý text >>
Evropské laserové centrum ELI

Český rozhlas VLTAVA, pořad Mozaika, 20.6.2011.

Evropská komise...

Celý text >>
Kvarky, černé díry, CERN a jeho okolí

CERN Document Server, CERN Courier, 18.5.2011 a 6.6.2011.

Celý text >>
Více ...

Highly Ordered Growth of SiC Deposited using A Hollow Cathode Technique; Solar Energy Engineering

Seminář Středa, 11.05.2011 13:00 - 15:00

Přednášející: Prof. Dr. R. J. Soukup, Prof. Dr. N. J. Ianno (Department of Electrical Engineering University of Nebraska-Lincoln, USA)
Místo: Seminární m. 117, FZÚ, Pod vodárenskou věží 1, Praha 8
Jazyk: anglicky
Pořadatelé: Oddělení nízkoteplotního plazmatu

Program semináře:

Prof. Dr. R. J. Soukup
Department of Electrical Engineering University of Nebraska-Lincoln, USA
Highly Ordered Growth of SiC Deposited using A Hollow Cathode Technique

Prof. Dr. N. J. Ianno
Department of Electrical Engineering University of Nebraska-Lincoln, USA
Solar Energy Engineering

Copyright © 2008-2010, Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.