Fyzikální ústav Akademie věd ČR

FZÚ v médiích

Česká pozice.cz, 26.9.2011.

Ve čtvrtek 22. září večer obletěla...

TECHNET.CZ, 25.9.2011.

Jestli se opravdu potvrdí, že neutrina...

Akademie věde České republiky, 23.9.2011.

Předseda AV ČR prof...

Významné výsledky oddělení 14

Znovu byl otevřen neuspokojivě vyřešený problém relativistické transformace teploty, která hraje rozhodující roli v relativistické fyzice tepelných jevů a v kosmologii. Ukázali jsme, že původ tzv. Mosengeilovy-Ottovy antinomie a dalších spřízněných paradoxů je třeba hledat ve špatném porozumění fyzikálnímu významu teploty a používání Plankova předpokladu o Lorenzově invarianci entropie.   Celý text >>

Rekordní vlnová délka emitovaná z InAs/GaAs kvantových teček - (maximum při 1580 nm)

Pro přenos dat ve vláknových světlovodech se využívají vlnové délky kolem 1300 a 1550 nm (okna křemenných vláknových světlovodů – minimální disperze a útlum). Jednoduchá struktura InAs kvantových teček (KT) připravená metodou epitaxe z organokovových sloučenin (MOVPE) v módu Stranského-Krastanowa na GaAs podložce emituje obvykle na vlnových délkách kolem 1200 nm. Aby byla vlnová délka emise z KT posunuta do požadované oblasti, musí být InAs KT připravovány v sofistikovanějších strukturách (vrstvení KT, snížení pnutí pomocí krycích vrstev nebo pseudomorfních podkladových vrstev).

  Celý text >>

Našli jsme originální metodu, jak charakterizovat elektrostatické stínění elektronového plynu pomocí vysoce citlivého kapacitního mostu. Touto metodou jsme měřili za nízkých teplot (1,2 K−4 K) průběh hustoty stínících elektronových stavů v nízkodimenzionální polovodičové struktuře v závislosti na magnetickém poli. Z tvaru křivek získaných při různých teplotách jsme usoudili, že v režimu kvantového Hallova jevu dochází při určitých magnetických polích k transformaci dvojdimenzionálního elektronového plynu na jednodimenzionální vodivé kanály (tzv. dračí křivky).  Celý text >>

Diamant legovaný borem je materiál slibný pro různé aplikace v biologii a elektrochemii, který vykazuje pozoruhodné transportní vlastnosti včetně supravodivosti. Porozumění mechanismu elektronového transportu v tomto materiálu je zajímavý fyzikální problém, jehož vyřešení má význam jak aplikační, tak i jako vodítko pro studium jiných supravodičů.   Celý text >>

Kvantové tečky na bázi InAs/GaAs jsou perspektivními strukturami do aktivních oblastí laserů a optických zesilovačů používaných pro přenos dat optickými vláknovými vlnovody.

V laboratoři MOVPE (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy) oddělení polovodičů připravujeme InAs/GaAs kvantové tečky metodou organokovové epitaxe ve Stranskeho-Krastanowově módu růstu.

Podařilo se nám nalézt nový způsob monitorování vzniku InAs kvantových teček v MOVPE reaktoru.

  Celý text >>

Copyright © 2008-2010, Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.