DETAILS OF THE ACHIEVEMENT
| Polovodičové materiály s příměsí vzácných zemin a jejich využití v elektronice |
| Olga Procházková, Ph.D.; Dušan Nohavica, Ph.D.; Jan Novotný, DSc. |
| Year: 1998 |
| Do oblasti výzkumu polovodičových materiálů pro aplikační účely patří studium vlivu prvků vzácných zemin (RE) na jejich vlastnosti. Problematika spadá do širšího kontextu současného zájmu o studium materiálů s obsahem RE: křemenná vlákna s příměsí RE jako vláknové lasery a optické zesilovače, křemík dotovaný RE jako materiál pro optoelektroniku. V souladu s tímto vývojovým trendem byly na monokrystalických InP podložkách metodou epitaxního růstu z kapalné fáze s příměsí vzácné zeminy v tavenině připraveny velmi čisté InP vrstvy. Koncentrace volných nositelů náboje se pohybovala okolo 1¸2×1014cm–3, což je hodnota o tři řády nižší než je tomu u běžně připravovaných vrstev. Ve spolupráci s Elektrotechnickým ústavem SAV, Bratislava jsou vrstvy zpracovávány na struktury vhodné pro realizaci detektorů záření. Dále byly připraveny InP vrstvy se zabudovaným Yb v krystalové mříži InP a zhotoveny testovací vzorky diod, které představují elektroluminiscenční zdroj záření s přesně definovanou vlnovou délkou. Byl proveden komplexní výzkum přípravy a charakterizace vlastností vrstev GaInP(As) na GaAs podložkách. Bylo ověřeno použití těchto vrstev pro fotokatody generující vodík pod vlivem slunečního záření a studovány možnosti jejich využití pro fotovoltaické články a detektory nukleárních částic. |
|