Přednášející: Prof. Dr. R. J. Soukup, Prof. Dr. N. J. Ianno (Department of Electrical Engineering University of Nebraska-Lincoln, USA)
Místo: Seminární m. 117, FZÚ, Pod vodárenskou věží 1, Praha 8
Jazyk: anglicky
Pořadatelé:
Oddělení nízkoteplotního plazmatu
Prof. Dr. R. J. Soukup
Department of Electrical Engineering University of Nebraska-Lincoln, USA
Highly Ordered Growth of SiC Deposited using A Hollow Cathode Technique
Prof. Dr. N. J. Ianno
Department of Electrical Engineering University of Nebraska-Lincoln, USA
Solar Energy Engineering
Copyright © 2008-2010, Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
