III-V semiconductor heterostructures and nanostructures towards innovative electronic and photonic applications

Sponsor: Ministry of Education, Youth and Sports of the Czech Republic

Principal investigator: Jan Grym, Ph.D.

Members: Ondřej Černohorský, MSc.; Jan Lorinčík, Ph.D.; Jan Mrázek, Ph.D.; Jan Vaniš, Ph.D.; Roman Yatskiv, Ph.D.

From: 2012-01-01

To: 2013-12-31

Jedná se o projekt mezinárodní spolupráce mezi ÚFE AV ČR, FZÚ AV ČR a Aristotle Univeristy of Thessaaloniki, Řecko. Cílem projektu je důkladně pochopit a uzpůsobit růstové mechnismy, mikrostrukturu a fyzikální vlastnosti heterostruktur III-V s velkým mřížkovým nepřizpůsobením a nanostruktur s kvantovými tečkami (KT) a kovovými nanočásticemi (KNC) na porézních a kompaktních substrátech. Periodické porézní struktury v InP a GaAs připravujeme elektrochemickým leptáním a následně rosteme vrstvy In(x)Ga(1-x)As(y)P(1-y) a KT InAs/GaAs kapalnou epitaxí a plynnou epitaxí z organokovových sloučenin. Na InP substrátech vytváříme Schottkyho bariéry nanášením KNC elektroforézou. Kvantitativní transmisní elektronová mikroskopie slouží ke studiu mechanismů nukleace mikrostruktury epitaxních vrstev, tvaru a velikosti KT a MNP lokální struktury rozhraní a rozložení deformace na heterorozhraní. Fyzikální vlastnosti charakterizujeme pomocí balistické elektronové emisní spektroskopie, fotoluminiscence a mikrokatodoluminiscence.