Podstata a role defektů ve scintilačním mechanismu materiálů na bázi komplexních oxidů.
V oblasti scintilačních materiálů na bázi komplexních oxidů jsme se soustředili především na wolframany a dále dopované aluminiové perovskity (REAlO3), granáty (RE3Al5O12) a silikáty (RE2SiO5) ve formě objemových monokrystalů, keramik nebo monokrystalických vrstev pěstovaných kapalnou epitaxí, obr(fig). 1. V centru pozornosti jsou bodové defekty vytvářející záchytné stavy v zakázaném pásu. Pochopení podstaty a role takových defektů ve scintilačním mechanismu a jejich vazba na použitou technologii umožňuje další optimalizaci těchto materiálů.
Technologie kapalné epitaxe je perspektivní pro přípravu rychlých tenkovrstvých scintilačních detektorů použitelných pro 2D-zobrazování s vysokým rozlišením, charakterizovali jsme nový materiálový systém na bázi LuAG:Ce granátu [1].
Detailně jsme prostudovali tunelovací mechanismy v zářivé rekombinaci cerem dopovaných ortosilikátů [2]. S pomocí korelovaných měření termostimulované luminiscence a elektronové paramagnetické rezonance (EPR) bylo v perovskitové struktuře YAlO3 určeno pět různých variant děrových pastí na bázi center O- a čtyři elektronové pasti na bázi center F+ [3]. Byly spočteny záchytné energie a frekvenční faktory pro všechna centra a odhadnuty doby života obsazeného centra při pokojové teplotě [4]. Měření EPR prokázala samolokalizaci děrových nosičů ve struktuře CdWO4 [5]. Detailně jsme prostudovali kinetiku luminiscence a scintilace a vzájemně porovnali aplikační potenciál v praseodymem dopovaných granátech a ortosilikátech [6].
Publikovali jsme pozvaný „feature article“ shrnující stav poznání defektů a záchytných stavů ve scintilátorech na bázi komplexních oxidů [7].
P. Prusa, T. Cechak , J. A. Mares, M. Nikl, A. Beitlerova, N. Solovieva, Yu. V. Zorenko, V. I. Gorbenko, J. Tous, K. Blazek,
Appl. Phys. Letters 92, 041903 (2008).
A. Vedda, M. Nikl, M. Fasoli, E. Mihokova , J. Pejchal, M. Dusek, G. Ren, C.R. Stanek, K. J. McClellan, D.D. Byle,
Phys. Rev. B 78, 195123 (2008). r,
J. Pejchal, M. Nikl, E. Mihóková, J. A. Mareš, A. Yoshikawa, H. Ogino, K. M. Schillemat, A Krasnikov, A. Vedda, K. Nejezchleb and V. Múčka,
J. Phys. D: Appl. Phys. 42 (2009) 055117