Fyzikální ústav Akademie věd ČR

Technologická laboratoř MOVPE - z anglického Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy

Technologická laboratoř MOVPE - růst A^IIIB^V polovodičových struktur zejména na bázi GaAs and GaSb epitaxí z organokovových sloučenin pomocí komerční MOVPE aparatury AIXTRON 200. Vrstvy a struktury na bázi A^IIIB^V jsou připravovány v zřízeníAIXTRON 200 firmy Aixtron s vysokofrekvenčním ohřevem v atmosféře čistého vodíku H₂ čištěného difuzí přes horké palladium.
Jako zdrojový materiál jsou k dispozici organokovové sloučeniny, ev. hydridy Al, Ga, In, As, Sb: TMAl, TtBAl, TMGa, TEGa, TMIn, AsH₃, tBAsH₂, TDMASb, TESb. Z dopantů DETe, SiH₄, CCl₄, DEZn.

Příklady připravovaných materiálů:

1. GaAs/InAs/InGaAs - Kvantové tečky (QD), Kvantové jámy (QW), Multi-QW, Multi-QD, QW a QD lasery
2. GaAs/AlGaAs - planární vlnovody, Kvantové jámy (QW), Multi-QW, delta dotace Si
3. GaAs/InAlAs - QW, Multi-QW
4. GaSb, GaAsSb, InAsSb, InGaSb vrstvy a struktury s QW, Multi-QW

Předchozí technologické zkušenosti: růst A^IIIB^V polovodičů pomocí kapalné epitaxe LPE a příprava objemových nízkodislokačních krystalů (GaSb, GaAs).

 

Stránka skupiny MOVPE technologie

Stránka oddělení polovodičů