Ing. Jan Vaniš, Ph.D.

Současné výzkumné projekty:

Člen projektů:

• Difrakční optické prvky pro výkonové vláknové lasery
• Mechanizmus transportu náboje Schottkyho kontakty na jednodimenzionálních nanostrukturách ZnO
• Elektroforetická depozice časově proměnným elektrickým polem pro výzkum nových fyzikálních vlastností nanostrukturních materiálů

Vybrané předchozí projekty:

Člen projektů:

• Heterostruktury a nanostruktury polovodičů III-V pro nové elektronické a fotonické aplikace
• Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V
• Kompenzace neizoperiodičnosti v heteropřechodech na mikro a nanoporézních polovodičích A3B5 a depozice kovů a polovodičů do mikropórů
• Nanostruktury řízených rozměrů
• Úloha přechodových kovů a prvků vzácných zemin v přípravě materiálů na bázi InP pro detektory záření
• Ternární skutterudity pro termoelektrické aplikace: od objemových vzorků k tenkým vrstvám
• Studie InP rozhraní s kovovými nanočásticemi pro monitorování plynů a záření znečišťujících látek v životním prostředí
• Prostorově rozlišená balistická elektronová emisní spektroskopie na jednotlivých InAs/GaAs kvantových tečkách uzavřených mezi AlGaAs barierami
• Studium velmi tenkých Bi2Te3 vrstev připravených laserovou ablací a jejich modifikace pomocí rastrovacího tunelového mikroskopu (STM)
• Studium perspektivních polovodičových materiálů a struktur pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie a kontaktního profilometru
• Charakterizace supermřížek a ultra-mělkých vrstev v polovodičích pomocí rastrovacího tunelového mikroskopu a kontaktního profilometru

Publikační činnost:

Články v odborných časopisech:

1. J. Walachova, J. Zelinka, V. Malina, J. Vanis, F. Sroubek, J. Pangrac, K. Melichar, E. Hulicius: "Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs/AlGaAs heterostructure" Appl. Phys. Lett. 92, (2008) 012101.
2. J. Walachova, J. Zelinka, V. Malina, J. Vanis, F. Sroubek, J. Pangrac, K. Melichar, E. Hulicius: "Study of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy" Appl. Phys. Lett. 91, (2007) 042110. 
3. J. Vanis, D.H.Chow, F. Sroubek, T.C. McGill, J. Walachova: "Characterization of InAs/AlSb tunneling double barier heterostructure by reverse ballistic electron emission microscope with InAs as base electrode", Phys. stat. sol.(c) 2, No.4, (2005) 1444. 
4. J. Vanis, D. H. Chow, J. Pangrac, F.Sroubek, T. C. McGill, J. Walachova: “Characterisation of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by ballistic electron emission microscope with InAs as base electrode“, Phys. stat. sol.(c) 0 No.3. (2003) 986. 
5. R. Zeipl, M. Pavelka, M. Jelinek, J. Chval, P. Lostak, K. Zdansky, J. Vanis, S. Karamazov, S. Vackova, J.Walachova: “Some proporties of very thin Bi2Te3 layers prepared by laser ablation“, Phys. stat. sol.(c) 0 No.3 (2003) 867. 
6. R. Czajka, J. Horak, P. Lostak, S. Karamazov, J. Vanis, J. Walachova: “Characterisation and Nanometer-scale Modifications of Bi2Te3 Surface via Atomic Force Microscopy”, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1194–1198.(2000). 
7. J. Walachova, J. Zelinka, J. Vanis, S. Karamazov, M. Cukr, P. Zich, D.H. Chow and T.C. McGill: "Testing of resonant tunneling double barrier heterostructures by BEEM/BEES", Czech J. Phys. 49 (1999) 883. 
8. J. Walachova, J. Zelinka, J. Vanis, D. H. Chow, J. N. Schulman, S. Karamazov, M. Cukr, P. Zich, J. Kral, and T. C. McGill: "Probing of InAs/AlSb double barrier heterostructures by ballistic electron emission spectroscopy", Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 3588.

Příspěvky na konferencích:

1. J. Vanis, J. Zelinka, V. Malina, M. Henini, F. Sroubek, J. Walachova: "Study of InAs quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy", Technical Digest of Quantum Dot Optoelectronics Symposium 2007, edited by Dr. Georgios Ellinas, Dr. Stavros Iezekiel
2. R. Zeipl, S. Karamazov, M. Jelínek, P. Lostak, M. Pavelka, Sz. Winiarz, R. Czajka, J. Vanis, F. Sroubek, J. Zelinka, J. Walachova: “Very thin layers prepared by laser ablation from Bi2Te3 target“, Proceedings of 22nd International Conference on Thermoelectrics, 17-21 August, La Grande-Motte, France, 2003, p. 342-345. 
3. R. Zeipl, M. Pavelka, M. Jelínek, J. Vanis, F. Šroubek, J. Walachova: “Modifications of Bi2Te3 nanolayers”, NANO´03, edited by Pavel Sandera, FSI VUT v Brne, ISBN 80-214-2527-X, 209-212, (2003). 
4. J. Vanis, M. Henini, F. Sroubek, J. Walachova: “Preliminary ballistic electron emissin microscopy/spectroscopy characterization of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure”, NANO´03, edited by Pavel Sandera, FSI VUT v Brne, ISBN 80-214-2527-X, 76-80, (2003). 
5. J. Vanis, R. Czajka, J. Horak, P. Lostak, S. Karamazov, J. Walachova : “Modification of Bi2Te3 and Sb2Te3 by STM and AFM“, „Proceedings of the fifth European workshop on thermoelectrics“, University of Pardubice, Ed. by P. Lostak, L. Koudelka and C. Drasar, Pardubice, September 1999, p. 138. 
6. R. Czajka, J. Horak, P. Lošťák, S. Karamazov, J. Vanis, J. Walachova: “Characterization and nanometer scale modification of Bi2Te3 surface via the Atomic Force Microscopy”, Preliminary proceeding of STM´99 editted by Y. Kuk, I. W. Lyo, D. Jeon, S.-I. Park, 19-23 July 1999, Seoul, Korea, page 99. 
7. S. Karamazov, J. Walachova, J.Zelinka, J. Vanis, M. Cukr, P. Zich: "Influence of impurity concentration on Au-nGaAs barriers hight measured by BEEM in air" in "Abstract of Contributed Papers", EPS 10 Trends in Physics, September 9-13, Sevilla 1996, p.37.