Poskytovatel: Grantová agentura ČR
Řešitel: Ing. Jan Grym, Ph.D.
Spoluřešitel: Ing. Eduard Hulicius, CSc.
Členi: doc. Petar Gladkov, Ph.D.; Ing. Zdeněk Jarchovský; RNDr. Jan Lorinčík, CSc.; Ing. Dušan Nohavica, CSc.; Ing. Jan Vaniš, Ph.D.; Mgr. Roman Yatskiv, Ph.D.
Od: 2010-01-01
Do: 2012-12-31
Projekt byl zaměřen na epitaxní růst heterostruktur s velkým mřížkovým nepřizpůsobením na porézních substrátech polovodičů A3B5 a na depozici kovových a polovodičových materiálů do mikropórů. Příprava vysoce kvalitních mřížkově nepřizpůsobených epitaxních vrstev je jedním z nejnáročnějších úkolů v polovodičové technologii. Elektrochemicky připravené mikro a nanopóry v InP a GaAs byly zarůstány metodami LPE a MOCVD za účelem vyhodnocení (a) konverze pórů do mikrobublin a mikrolamel, (b) očekávaného snížení hustoty dislokací prorůstajících do deponované vrstvy a (c) rozložení deformace v oblasti heterorozhraní. Plazmová chemická depozice a elektochemická depozice byla použita pro nanášení ZnO do mikropórů a na porézní GaP substráty za účelem studia optických vlastností těchto struktur. Platina byla elektrochemicky nanášena do porézních sítí jakožto první krok k přípravě metamateriálů. Strukturní, elektrické a optické vlastnosti byly studovány pomocí optické mikroskopie, SEM, AFM, SIMS, mokrého leptání, měření Hallova jevu, fotoluminiscence a mikrokatodoluminiscence.
