Popis transportních vlastností Schottkyho diod připravených depozicí grafitu na polovodičové materiály

Rok: 2013

Mgr. Roman Yatskiv, Ph.D.

Spolupráce: Chernivtsi National University

Depozicí koloidního grafitu jsme na různých polovodičových materiálech připravili Schottkyho kontakty s vynikajicími usměrňovacími parametry a teplotní stabilitou. Ve spolupráci s Chernivtsi National University jsme ukázali, že charakteristiky proud-napětí Schotkyho diod na bázi grafitu a jejich teplotní závislosti mohou být popsány generačně rekombinační teorií v oblasti prostorového náboje. Tato teorie je plně v souladu s experimentem.

(a) Srovnání výsledků výpočtu (plné čáry) s I–V charakteristikami diod grafit/CdMnTe měřenými při různých teplotách (kroužky), (b) energetický pásový diagram diody grafit/CdMnTe.

Publikace:

1. Yatskiv, Roman ; Grym, Jan. Thermal stability study of semimetal graphite n-InP and n-GaN Schottky diodes. .i.Semiconductor Science and Technology./i., 2013, Roč. 28, č. 5. ISSN 0268-1242.
2. Grym, Jan ; Yatskiv, Roman. Schottky barriers based on metal nanoparticles deposited on InP epitaxial layers. .i.Semiconductor Science and Technology./i., 2013, Roč. 28, č. 4. ISSN 0268-1242.
3. Kosyachenko, L.A. ; Yatskiv, Roman ; Yurtsenyuk, N.S. ; Maslyanchuk, O.L. ; Grym, Jan. Graphite/CdMnTe Schottky diodes and their electrical characteristics. .i.Semiconductor Science and Technology./i., 2014, Roč. 29, č. 1. ISSN 0268-1242.