Poskytovatel: Grantová agentura ČR
Řešitel: Ing. Jan Vaniš , Ph.D.
Od: 2011
Do: 2013
Popis projektu: Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie a spektroskopie jsou studovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs vložené mezi GaAlAs bariery. Na samouspořádaných kvantových tečkách s rozměrově shodnou základnou připravených různou technologií jsou srovnávány spektroskopické charakteristiky. Měření jsou realizována na kvantových tečkách rostených technikou epitaxe z molekulárních svazků (MBE) a epitaxí z organokovových sloučenin (MOVPE).
