Multiplexní InGaN/GaN kvantové struktury představují ideální scintilátorové struktury, a to v důsledku velké účinnosti zářivé rekombinace v InGaN/GaN kvantových jamách, vysoké radiační odolnosti a stabilitě nitridových sloučenin. Ve Fyzikálním ústavu AV ČR, v. v. i., byla navržena scintilátorová multiplexní InGaN/GaN kvantová struktura (viz obrázek), která byla realizovaná firmou Aixtron. Provedené testy, včetně unikátních měření spektrálně...