Sponsor: Czech Science Foundation
Primary investigator: Jan Vaniš, Ph.D.
From: 2011
To: 2013
Popis projektu: Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie a spektroskopie jsou studovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs vložené mezi GaAlAs bariery. Na samouspořádaných kvantových tečkách s rozměrově shodnou základnou připravených různou technologií jsou srovnávány spektroskopické charakteristiky. Měření jsou realizována na kvantových tečkách rostených technikou epitaxe z molekulárních svazků (MBE) a epitaxí z organokovových sloučenin (MOVPE).
Ústav fotoniky a elektroniky provádí základní a aplikovaný výzkum v oblasti fotoniky, optoelektroniky a elektroniky. ÚFE přispívá k rozvoji poznání v těchto oblastech a vytváří širokou bázi znalostí, jako základ pro vývoj nových špičkových technologií.
