Multiplexní InGaN/GaN kvantové struktury představují ideální scintilátorové struktury, a to v důsledku velké účinnosti zářivé rekombinace v InGaN/GaN kvantových jamách, vysoké radiační odolnosti a stabilitě nitridových sloučenin. Ve Fyzikálním ústavu AV ČR, v. v. i., byla navržena scintilátorová multiplexní InGaN/GaN kvantová struktura (viz obrázek), která byla realizovaná firmou Aixtron. Provedené testy, včetně unikátních měření spektrálně rozlišené scintilační odezvy radioluminiscence při excitaci nanosekundovými pulzy měkkého rentgenového záření v širokém časovém oboru, prokázaly přednosti takové struktury pro scintilační použití před běžně používanými monokrystalickými scintilátory z YAP:Ce nebo YAG:Ce. Navrženou scintilátorovou multiplexní InGaN/GaN kvantovou strukturu je nutné optimalizovat; zvětšit energetickou vzdálenost mezi rychlým excitonovým pásem a pomalým příměsovým pásem a snížit pnutí ve struktuře tak, aby se dal zvětšit počet InGaN kvantových jam a tím zvýšit účinnost scintilátoru.
Multiplexní InGaN/GaN kvantová struktura
1Institute of Physics ASCR, v.v.i., Cukrovarnická 10, Praha 6, 162 00, Czech Republic
2Faculty of Biomedical Engineering CTU, Nám. Sítná 3105, Kladno 2, 272 01, Czech Republic
3AIXTRON SE, Kaiserstraße 98, 52134, Herzogenrath, Germany
Copyright © 2008-2014, Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
