Heterostruktury a nanostruktury polovodičů III-V pro nové elektronické a fotonické aplikace

Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR

Řešitel: Ing. Jan Grym, Ph.D.

Členi: Ing. Ondřej Černohorský; RNDr. Jan Lorinčík, CSc.; Ing. Jan Mrázek, Ph.D.; Ing. Jan Vaniš, Ph.D.; Mgr. Roman Yatskiv, Ph.D.

Od: 2012-01-01

Do: 2013-12-31

Jedná se o projekt mezinárodní spolupráce mezi ÚFE AV ČR, FZÚ AV ČR a Aristotle Univeristy of Thessaaloniki, Řecko. Cílem projektu je důkladně pochopit a uzpůsobit růstové mechnismy, mikrostrukturu a fyzikální vlastnosti heterostruktur III-V s velkým mřížkovým nepřizpůsobením a nanostruktur s kvantovými tečkami (KT) a kovovými nanočásticemi (KNC) na porézních a kompaktních substrátech. Periodické porézní struktury v InP a GaAs připravujeme elektrochemickým leptáním a následně rosteme vrstvy In(x)Ga(1-x)As(y)P(1-y) a KT InAs/GaAs kapalnou epitaxí a plynnou epitaxí z organokovových sloučenin. Na InP substrátech vytváříme Schottkyho bariéry nanášením KNC elektroforézou. Kvantitativní transmisní elektronová mikroskopie slouží ke studiu mechanismů nukleace mikrostruktury epitaxních vrstev, tvaru a velikosti KT a MNP lokální struktury rozhraní a rozložení deformace na heterorozhraní. Fyzikální vlastnosti charakterizujeme pomocí balistické elektronové emisní spektroskopie, fotoluminiscence a mikrokatodoluminiscence.