Fyzikální ústav Akademie věd ČR

Technologická laboratoř MOVPE - z anglického Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy

Technologická laboratoř MOVPE - růst A^IIIB^V polovodičových struktur zejména na bázi GaAs and GaSb epitaxí z organokovových sloučenin pomocí komerční MOVPE aparatury AIXTRON 200.

Vrstvy a struktury na bázi A^IIIB^V jsou připravovány v zřízení AIXTRON 200 firmy Aixtron s vysokofrekvenčním ohřevem v atmosféře čistého vodíku H₂ čištěného difuzí přes horké palladium.

V duhé polovině roku 2015 byla úspěšně uvedena do provozu další MOVPE aparatura od firmy AIXTRON, tentokrát nový typ CCS 3x2"určený pro přípravu nitridových polovodičů, v rámci projektu LABONIT Operačního programu Praha - Konkurenceschopnost financovaného ze Strukturálních fondů EU.

Jako zdrojový materiál jsou k dispozici organokovové sloučeniny, ev. hydridy Al, Ga, In, As, Sb: TMAl, TtBAl, TMGa, TEGa, TMIn, AsH₃, tBAsH₂, TDMASb, TESb, NH₃. Z dopantů DETe, SiH₄, CCl₄, DEZn.

Příklady připravovaných materiálů:

1. GaN, AlGaN, InGaN vrstvy a kvantové jámy
2. GaAs/InAs/InGaAs - Kvantové tečky (QD), Kvantové jámy (QW), Multi-QW, Multi-QD, QW a QD lasery
3. GaAs/AlGaAs - planární vlnovody, Kvantové jámy (QW), Multi-QW, delta dotace Si
4. GaAs/InAlAs - QW, Multi-QW
5. GaSb, GaAsSb, InAsSb, InGaSb vrstvy a struktury s QW, Multi-QW

Předchozí technologické zkušenosti: růst A^IIIB^V polovodičů pomocí kapalné epitaxe LPE a příprava objemových nízkodislokačních krystalů (GaSb, GaAs).

Stránka skupiny MOVPE technologie

Stránka oddělení polovodičů