Mechanizmus transportu náboje Schottkyho kontakty na jednodimenzionálních nanostrukturách ZnO

Poskytovatel: Grantová agentura ČR

Řešitel: Ing. Jan Grym, Ph.D.

Členové: Mgr. Roman Yatskiv, Ph.D.; RNDr. Jan Lorinčík, CSc; Ing. Jan Vaniš, Ph.D.; Ing. Ondřej Černohorský; Ing. Marie Hamplová.

Od: 2015-01-01

Do: 2017-12-31


Nízkodimenzionální polovodičové struktury jsou intenzivně studovány pro budoucí elektronické a fotonické aplikace. Jedním z klíčových problémů v těchto součástkách je pochopení a kontrola transportu náboje na rozhraní kov/polovodičová nanostruktura. Cílem je popsat základní jevy odehrávající se při transportu náboje Schottkyho bariérami připravenými na jednodimenzionálních nanostrukturách ZnO.

Vertikální pole nanotyčinek (NT) a nanodrátů (ND) ZnO jsou charakterizována sadou diagnostických metod za účelem získání zpětné vazby pro modifikaci technologie pro uzpůsobení jejich morfologie a elektrických, optických a strukturních vlastností. Schottkyho kontakty na jednotlivé NT a ND a jejich pole jsou vytvářeny vakuovým napařováním kovů, depozicí koloidního grafitu, elektronovou litografií, depozicí indukovanou fokusovaným elektronovým/iontovým svazkem a hrotem mikroskopu atomárních sil nebo nanomanipulátoru v rastrovacím elektronovém mikroskopu.

 

ÚFE provádí základní a aplikovaný výzkum v oblasti fotoniky, optoelektroniky a elektroniky. ÚFE příspívá k rozvoji poznání v těchto oblastech a vytváří širokou bázi znalostí, jako základ pro vývoj nových špičkových technologií.

Kontakt

+420 266 773 400
ufe@ufe.cz
Datová schránka: m54nucy
IČ: 67985882
DIČ: CZ67985882