Nacházíte se

Domů » Oddělení polovodičů

Technologie MOVPE

Technologická laboratoř MOVPE - z anglického Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy

Technologická laboratoř MOVPE - růst AIIIBV polovodičových struktur zejména na bázi GaAs and GaSb epitaxí z organokovových sloučenin pomocí komerční MOVPE aparatury AIXTRON 200.

Vrstvy a struktury na bázi AIIIBV jsou připravovány v zřízení AIXTRON 200 firmy Aixtron s vysokofrekvenčním ohřevem v atmosféře čistého vodíku H2 čištěného difuzí přes horké palladium.

V duhé polovině roku 2015 byla úspěšně uvedena do provozu další MOVPE aparatura od firmy AIXTRON, tentokrát nový typ CCS 3x2"určený pro přípravu nitridových polovodičů, v rámci projektu LABONIT Operačního programu Praha - Konkurenceschopnost financovaného ze Strukturálních fondů EU.

Jako zdrojový materiál jsou k dispozici organokovové sloučeniny, ev. hydridy Al, Ga, In, As, Sb: TMAl, TtBAl, TMGa, TEGa, TMIn, AsH3, tBAsH2, TDMASb, TESb, NH3. Z dopantů DETe, SiH4, CCl4, DEZn.

Příklady připravovaných materiálů:

  1. GaN, AlGaN, InGaN vrstvy a kvantové jámy
  2. GaAs/InAs/InGaAs - Kvantové tečky (QD), Kvantové jámy (QW), Multi-QW, Multi-QD, QW a QD lasery
  3. GaAs/AlGaAs - planární vlnovody, Kvantové jámy (QW), Multi-QW, delta dotace Si
  4. GaAs/InAlAs - QW, Multi-QW
  5. GaSb, GaAsSb, InAsSb, InGaSb vrstvy a struktury s QW, Multi-QW

Předchozí technologické zkušenosti: růst AIIIBV polovodičů pomocí kapalné epitaxe LPE a příprava objemových nízkodislokačních krystalů (GaSb, GaAs).

 

Stránka skupiny MOVPE technologie

Stránka oddělení polovodičů