Ing. Jan Grym, Ph.D.

Oblasti vědeckého zájmu:

• Růst a charakterizace nízkodimenzionálních polovodičových struktur.
• Elektroforetická depozice nanočástic.
• Rastrovací elektronová a iontová mikroskopie; fotoluminiscenční a katodoluminescenční spektroskopie sloučeninových polovodičů.
• Příprava a charakterizace porézních sloučeninových polovodičů.

Profesní činnost:

2013: krátkodobé pobyty v Center of Functional Nanomaterials, Brookhaven National Laboratory, USA.
2012 - dnes: vědecký pracovník v Ústavu fotoniky a elektroniky AV ČR,  Příprava a charakterizace nanomateriálů.
2009 - dnes: Člen výboru Československé společnosti pro růst krystalů.
2007-2011: postdoktorand v Ústavu fotoniky a elektroniky AV ČR,  Polovodičové technologie.
říjen-prosinec 2004: pobyt v Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Peking.
září 2003-červenec 2004: Marie Curie Fellowship (pátý rámcový program EU), stáž na Dept. of Physics of Materials, Faculty of Physics, Universidad Complutense de Madrid, Charakterizace elektrických a optických vlastností polovodičů mikroskopickými a spektroskopickými metodami. Příprava a charakterizace nanostruktur ZnO.

Vzdělání:

České vysoké učení technické v Praze, Fakulta elektrotechnická:
- 2007: Ph.D. v oboru Elektrotechnologie a materiály
- 2000: Ing. v oboru Technologické systémy
- 1998: Bc. v oboru Silnoproudá elektrotechnika.

Současné výzkumné projekty:

Řešitel projektů:

• Mechanizmus transportu náboje Schottkyho kontakty na jednodimenzionálních nanostrukturách ZnO

Člen projektů:

• Elektroforetická depozice časově proměnným elektrickým polem pro výzkum nových fyzikálních vlastností nanostrukturních materiálů
• Elektroforetická depozice nanostrukturovaných vrstev ZnO a jejich využití při detekci nebezpečných plynů

Vybrané předchozí projekty:

Řešitel projektů:

• Heterostruktury a nanostruktury polovodičů III-V pro nové elektronické a fotonické aplikace
• Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V
• Kompenzace neizoperiodičnosti v heteropřechodech na mikro a nanoporézních polovodičích A3B5 a depozice kovů a polovodičů do mikropórů
• Epitaxní vrstvy InP připravené z taveniny obsahující prvky vzácných zemin: růst, charakterizace a aplikace v detektorech záření

Člen projektů:

• Úloha přechodových kovů a prvků vzácných zemin v přípravě materiálů na bázi InP pro detektory záření
• Kovové nanovrstvy pro polovodičové čidlo a detekční sktruktury
• Využití specifických vlastností vzácných zemin při přípravě struktur InP detektorů záření
• Využití prvků vzácných zemin při přípravě polovodičových materiálů na bázi InP a PbI2 pro detekci ionizujícího záření

Publikační činnost:

Knihy:

1. Grym, J. (editor) Semiconductor Technologies. 1. - Vukovar : In-Tech, 2010. 462 s. ISBN 978-953-307-080-3. 1.

Kapitoly v knihách:

1. Grym, J. - Procházková, O. - Zavadil, J. - Žďánský, K., Role of rare-earth elements in the technology of III-V semiconductors prepared by liquid phase epitaxy. Semiconductor Technologies. 1. Vukovar : InTech, 2010 - (Grym, J.), s. 295-320 ISBN 978-953-307-080-3

Odborné články:

1. Yatskiv, R.; Grym, J.; Brus, V. V.; Cernohorsky, O.; Maryanchuk, P. D.; Bazioti, C.; Dimitrakopulos, G. P.; Komninou, P., Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles. Semicond Sci Tech 2014, 29 (4).
2. Kosyachenko, L. A.; Yatskiv, R.; Yurtsenyuk, N. S.; Maslyanchuk, O. L.; Grym, J., Graphite/CdMnTe Schottky diodes and their electrical characteristics. Semicond Sci Tech 2014, 29 (1).
3. Yatskiv, R.; Grym, J., Thermal stability study of semimetal graphite n-InP and n-GaN Schottky diodes. Semicond Sci Tech 2013, 28 (5).
4. Grym, J.; Yatskiv, R., Schottky barriers based on metal nanoparticles deposited on InP epitaxial layers. Semicond Sci Tech 2013, 28 (4).
5. Grym, J.; Nohavica, D.; Gladkov, P.; Hulicius, E.; Pangrac, J.; Piksova, K., Epitaxial growth on porous GaAs substrates. Comptes Rendus Chimie 2013, 16 (1), 59-64.
6. Yatskiv, R.; Grym, J.; Zdansky, K.; Piksova, K., Semimetal graphite/ZnO Schottky diodes and their use for hydrogen sensing. Carbon 2012, 50 (10), 3928-3933.
7. Yatskiv, R.; Grym, J., Temperature-dependent properties of semimetal graphite-ZnO Schottky diodes. Appl Phys Lett 2012, 101 (16).
8. Yatskiv, R.; Grym, J., Particle detectors based on InP Schottky diodes. J Instrum 2012, 7.
9. Nohavica, D.; Grym, J.; Gladkov, P.; Hulicius, E.; Pangrac, J.; Jarchovsky, Z., Thermal conversion and epitaxial overgrowth of nanopores etched in InP and GaAs. International Journal of Nanotechnology 2012, 9 (8-9), 732-745.
10. Grym, J.; Nohavica, D.; Vanis, J.; Piksova, K.; Lourdudoss, S.; Marcinkevicius, S.; Kataria, H., Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth. Phys Status Solidi C 2012, 9 (7), 1531-1533.
11. Yatskiv, R.; Grym, J.; Zdansky, K., Particle detectors based on semiconducting InP epitaxial layers. J Instrum 2011, 6.
12. Nohavica, D.; Gladkov, P.; Grym, J.; Jarchovsky, Z., Laser assisted electrochemical preparation of micro and nanopores in Ga (x) In1-x P. Journal of Nanoparticle Research 2011, 13 (11), 5873-5877.
13. Grym, J.; Prochazkova, O.; Yatskiv, R.; Piksova, K., Hydrogen sensors based on electrophoretically deposited Pd nanoparticles onto InP. Nanoscale Res Lett 2011, 6.
14. Yatskiv, R.; Grym, J.; Zdansky, K.; Pekarek, L., Room temperature particle detectors based on indium phosphide. Nucl Instrum Meth A 2010, 612 (2), 334-337.
15. Prochazkova, O.; Grym, J.; Zavadil, J.; Zdansky, K.; Yatskiv, R.; Krotkus, A.; Valusis, G.; Adomavicius, R., Impact of Pr on the properties of InP based layers for light sources and detectors. Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics, Vol 6, No 12 2009, 6 (12), 2801-2803.
16. Grym, J.; Prochazkova, O.; Zavadil, J.; Zdansky, K., LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures. Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials 2009, 165 (1-2), 94-97.
17. Prochazkova, O.; Grym, J.; Zavadil, J.; Lorincik, J.; Zdansky, K., Influence of Yb AND Yb(2)O(3) addition on the properties of InP layers. J Optoelectron Adv M 2008, 10 (12), 3261-3264.
18. Prochazkova, O.; Grym, J.; Pekarek, L.; Zavadil, J.; Zdansky, K., InP based semiconductor structures for radiation detection. Journal of Materials Science-Materials in Electronics 2008, 19 (8-9), 770-775.
19. Prochazkova, O.; Grym, J.; Zavadil, J.; Zdansky, K., Preparation of p-type InP layers for detection of radiation. J Cryst Growth 2005, 275 (1-2), E959-E963.
20. Grym, J.; Fernandez, P.; Piqueras, J., Growth and spatially resolved luminescence of low dimensional structures in sintered ZnO. Nanotechnology 2005, 16 (6), 931-935.
21. Prochazkova, O.; Zavadil, J.; Zdansky, K.; Grym, J., Preparation of InP-based semiconductor materials with low density of defects: effect of Nd, Ho and Tb addition. Materials Science and Engineering B-Solid State Materials For Advanced Technology 2002, 91, 407-411.