Nacházíte se

Domů » Oddělení nízkoteplotního plazmatu

Highly Ordered Growth of SiC Deposited using A Hollow Cathode Technique; Solar Energy Engineering

Seminář
Středa, 11.05.2011 13:00 - 15:00

Přednášející: Prof. Dr. R. J. Soukup, Prof. Dr. N. J. Ianno (Department of Electrical Engineering University of Nebraska-Lincoln, USA)
Místo: Seminární m. 117, FZÚ, Pod vodárenskou věží 1, Praha 8
Jazyk: anglicky
Pořadatelé: Oddělení nízkoteplotního plazmatu
Program semináře:

Prof. Dr. R. J. Soukup
Department of Electrical Engineering University of Nebraska-Lincoln, USA
Highly Ordered Growth of SiC Deposited using A Hollow Cathode Technique

Prof. Dr. N. J. Ianno
Department of Electrical Engineering University of Nebraska-Lincoln, USA
Solar Energy Engineering