Povrchy nanovrstev GaAs a Ga1-xMnxAs

Řešitel: Igor Bartoš

Vlastnosti těchto krystalických materiálů, perspektivních pro spintroniku, připravovaných jako nanovrstvy nízkoteplotní molekulární epitaxí, jsou ovlivněny stavem jejich povrchů. Povrchově citlivé metody umožňují získat informace o krystalografii složitě rekonstruovaných povrchů a o jejich elektronové a magnetické struktuře.

Řešitel: Igor Bartoš

Vlastnosti těchto krystalických materiálů, perspektivních pro spintroniku, připravovaných jako nanovrstvy nízkoteplotní molekulární epitaxí, jsou ovlivněny stavem jejich povrchů. Povrchově citlivé metody umožňují získat informace o krystalografii složitě rekonstruovaných povrchů a o jejich elektronové a magnetické struktuře.

Detailní poznatky o konfiguraci atomů v různě rekonstruovaných površích GaAs(100) ( c(4x4), fáze α a β) se získají měřením intenzity svazků pomalých elektronů difraktovaných od těchto povrchů v závislosti na jejich energii a interpretací naměřených I-V křivek pomocí dynamické teorie. O vytváření povrchových vrstev ve formě homo-(As-As) a hetero-(Ga-As) dimerů ve dvou fázích přinášejí informaci též posuvy vnitřních hladin elektronů v atomech Ga a As detekované pomocí směrově rozlišené fotoelektronové spektroskopie.

Magnetické vlastnosti vzorků GaAs dotovaných Mn jsou výrazně ovlivněny zabudováním atomů Mn do mřížky GaAs: ferromagnetické vlastnosti, způsobené atomy Mn v substitučních polohách jsou potlačovány antiferomagnetickou interakcí atomů zabudovaných v intersticiálních polohách. Vliv přípravy vzorků na zabudování atomů Mn se studuje pomocí dichroismu vzorků excitovaných kruhově polarizovaným zářením emitovaným u zdrojů synchrotronového záření (Elettra Trieste, MaxLab Lund). Vyvíjená metodika fotoelektronové difrakce z vnitřních elektronových hladin atomů přispěje rovněž k určení lokálního uspořádání atomů v okolí atomů Mn.