Nacházíte se

Využití mechanického napětí v tenkých vrstvách Srn+1TinO3n+1 pro přípravu vysoce laditelných mikrovlnných dielektrik

C. H. Lee1,2, N. D. Orloff3,4, T. Birol5, Y. Zhu5, V. Goian6, E. Rocas7, R. Haislmaier2, E. Vlahos2, J. A. Mundy5, L. F. Kourkoutis5,8, Y. Nie1, M. D. Biegalski9, J. Zhang1, M. Bernhagen10, N. A. Benedek11, Y. Kim5, J. D. Brock5, R. Uecker10, X. X. Xi12, V. Gopalan2, D. Nuzhnyy6, S. Kamba6, D. A. Muller5,8, I. Takeuchi13, J. C. Booth3, C. J. Fennie5, D. G. Schlom1,8

Pracovníci FZÚ společně s kolegy z Cornell University (USA) teoreticky předpověděli, připravili a experimentálně charakterizovali vrstevnatý perovskitový systém Srn+1TinO3n+1 s n = 1–6. Ačkoli tento systém není v objemové formě (tedy jako krystal či keramika) feroelektrický, ukázalo se, že jako tenká vrstva s tahovým napětím 1 % se stává feroelektrickým a jeho kritická teplota roste s n. Díky tomu se jeho permitivita a elektrická laditelnost zvyšuje. Nejlepších vlastností se dosáhlo u Sr7Ti6O19, kde byla za pokojové teploty pozorována nejen vysoká laditelnost, ale i rekordně nízké dielektrické ztráty. Díky tomu má tento materiál o řád lepší mikrovlnné vlastnosti než dosud nejlepší BaxSr1-xTiO3. Zjistilo se, že zatímco v jiných systémech jsou dielektrické ztráty způsobeny strukturními defekty, které jsou v materiálech vždy přítomné, za nízkými dielektrickými ztrátami Srn+1TinO3n+1 je jeho unikátní vrstevnatá krystalová struktura, která dokáže "absorbovat" strukturní defekty krystalové mřížky.

Vrstevnatá krystalová struktura Srn+1TinO3n+1 s n = 1–6 (vlevo) a teplotní závislost dielektrické permitivity v tenkých vrstvách Srn+1TinO3n+1 (vpravo). Teplota maxim permitivity odpovídá teplotám přechodu do feroelektrického stavu.

1Department of Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA
2Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA
3National Institute of Standards and Technology, Boulder, Colorado 80305, USA
4Department of Physics, University of Maryland, College Park, Maryland 20742, USA
5School of Applied and Engineering Physics, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA
6Institute of Physics ASCR, Na Slovance 2, 182 21 Prague 8, Czech Republic
7Department of Signal Theory and Communications, Universitat Politècnica de Catalunya, 08034 Barcelona, Spain
8Kavli Institute at Cornell for Nanoscale Science, Ithaca, New York 14853, USA
9Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, Tennessee 37831, USA
10Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Strasse 2, D-12489 Berlin, Germany
11Materials Science and Engineering Program, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA
12Department of Physics, Temple University, Philadelphia, Pennsylvania 19122, USA
13Department of Materials Science and Engineering, University of Maryland, College Park, Maryland 20742, USA