![](https://webarchiv.lib.cas.cz:443/wayback/20190907004049im_/https://www.fzu.cz/sites/default/files/images/icans.png)
Ing. Matěj Hývl z Oddělení tenkých vrstev a nanostruktur prezentoval na konferenci ICANS 28 příspěvek s názvem "Nanoscale Study of the Hole-selective Passivating Contacts for High-Efficiency Silicon Solar Cells Using C-AFM Tomography“, jenž byl oceněn jednou ze tří cen o nejlepší poster na konferenci.
Tento příspěvek pojednává o...