Tomáš Vaněk oceněn za vynikající poster na ICCGE-19 / OMVPE-19

Ing. Tomáš Vaněk, doktorand z Technické univerzity v Liberci a Oddělení polovodičů FZU, obdržel ocenění za výjimečný studentský poster na konferenci International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, která se konala společně s workshopem 19^th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy v Keystone, Coloradu, USA.

Tomáš Vaněk se v rámci doktorského studia věnuje nitridovým polovodičovým strukturám rostlým metodou MOVPE (Metalorganic vapour-phase epitaxy) a jejich charakterizaci. Prezentoval poster s názvem Luminescence red shift of InGaN/GaN heterostructures by enlargement of V-pits, který pojednával o jevech a výzvách, jež nastávají při růstu gálium nitridových heterostruktur s tlustými aktivními oblastmi, které jsou tvořeny InGaN/GaN kvantovými jámami. Na výzkumu spolupracoval s dalšími kolegy z TUL a FZU AV ČR.

Konference a workshop byly zaměřeny na nejnovější objevy v oblasti růstu krystalů, epitaxe, charakterizace a aplikací. Mezi hlavní body programu patřila sympozia o 2D elektronických materiálech, epitaxi komplexních oxidů, feroelektrických krystalech a strukturované keramice.