Zahlavi

Tandetron 4130 MC

Tandetron 4130 MC, provozovaný v Laboratoři Tandetronu a jaderných analytických metod (LT, LNAM), je kompaktním víceúčelovým lineárním elektrostatickým tandemovým urychlovačem, vyrobeným nizozemskou společností High Voltage Engineering Europe (HVEE). V laboratoři byl instalován v listopadu 2005 poté, co pro něj byla postavena nová hala. Pořízen byl za podpory Akademie věd ČR a Mezinárodní agentury pro atomovou energii (MAAE). V roce 2006 bylo na Tandetronu uvedeno do provozu zařízení pro iontovou implantaci, v roce 2008 iontová mikrosonda a v letech 2008-2018 byly instalovány metody pro obrábění iontovým svazkem, ozařování externím svazkem na vzduchu a iontového kanálování v krystalech, spolu s instalací nových spektrometrických zařízení s vysokým hmotnostním a energetickým rozlišením.

Tandetron 4130 MC, jediný svého druhu v ČR, umožňuje produkci a urychlení vícenásobně nabitých iontů a podstatně rozšířil experimentální možnosti ÚJF v oblasti analýzy a modifikace látek iontovými svazky. Jeho hlavním účelem je produkce iontových svazků téměř všech prvků periodické tabulky od vodíku (H) po zlato (Au), s energiemi v rozmezí od 600 keV po 24 MeV.

V Laboratoři Tandetronu je pro produkci iontů používána verze urychlovače, poskytující střední intenzity iontových proudů s terminálovým (koncovým) napětím od 300 kV do 3 MV. Díky účinnému potlačení produkce sekundárního rentgenového záření může být tento urychlovač provozován v typických laboratorních podmínkách bez nutnosti dalšího radiačního stínění.

Tandemové urychlování částic je dvoustupňové. Na začátku vstupují negativní ionty, produkované jedním ze tří dostupných iontových zdrojů, do nízkoenergetické urychlovací části, kde jsou urychleny ke kladné vysokonapěťové elektrodě, následně jsou přebíjeny na kladné ionty vyšších nábojových stavů a ty jsou opět urychleny v druhé části urychlovače směrem od kladné elektrody.

K dispozici jsou tři iontové zdroje, dva typu duoplasmatron pro produkci iontů z plynné fáze, které mají různé produkované iontové proudy, a jeden pro produkci iontů z pevné fáze.

Díky dalším zařízením umožňuje Tandetron práci standardními metodami RBS (analýza elastickým rozptylem iontů), PIXE (rentgenová fluorescence buzená nabitými částicemi), PIGE (emise záření gama buzeného nabitými částicemi) i novými metodami, které až do instalace Tandetronu v ČR nebyly dostupné: ERDA-TOF (registrace vyražených lehkých iontů metodou doby letu), RBS s kanálováním, či iontovou mikrosondou s laterálním rozlišením 1 μmm.

Laboratoř je vybavena i zařízením pro vysokoenergetickou implantaci, několik zařízení je určeno zejména pro přípravu mikro- a nanostruktur pomocí různých depozičních technik a pro jejich charakterizaci dalšími komplementárními metodami (např. AFM). Současně se v laboratoři budují další zařízení pro přípravu a studium mikro- a nanostruktur s význačnými mechanickými, elektrickými, magnetickými a optickými vlastnostmi pro materiálový výzkum pomocí svazků urychlených iontů. Kvalifikace personálu a parametry experimentálních zařízení laboratoře jsou celosvětově srovnatelné s podobnými laboratořemi. Laboratoř je se svým zařízením unikátní v České republice a splňuje požadavky českých a zahraničních výzkumných organizací.

Externi svazek 1

Externi svazek 1

Using of external beam 1
externi svazek 2

externi svazek 2

Using of external beam 2
implant_chamber2

implant_chamber2

Implant chamber
ion_microbeam

ion_microbeam

New ion microbeam
ions overview

ions overview

Ions overview
pan_td

pan_td

pan_td1

pan_td1

schema_tras

schema_tras

stav_tandetron_duben07

tandetron-youtube

Laboratory of Tandetron (video)

tandetron1

Tandetron2020-1

tandetron3

Tandtron2020-graph

tandetron4

Tandetron2020-2

tandetron5

Tandetron2020-3

tof_erda