Mgr. Roman Yatskiv (Jackiv), Ph.D.

Oblasti vědeckého zájmu:

Fotoluminiscenční spektroskopie sloučeninových polovodičů;
Elektrická charakterizace  polovodičových  materiálů;
Růst a charakterizace nízkodimenzionálních polovodičových struktur.

Vzdělání:

2007: Ph.D.: České Vysoké Učení Technické v Praze, Elektrotechnická fakulta, Katedra mikroelektroniky,  Studijní obor: Elektronika

2002: Mgr.: Státní univerzita Černivcí, Fyzikální fakulta. Katedra elektroniky a energetiky. Studijní obor: Elektronika

Současné výzkumné projekty:

Řešitel projektů:

• Příprava a charakterizace amorfních materiálů pro aplikace v infračervené oblasti
• Studium mechanizmů transportu náboje přechodu grafen-polovodič
• Studium optoelektronických vlastností hybridních heterostruktur
• Skla propouštějící infračervené záření na bázi oxidů těžkých kovů

Člen projektů:

• Nanostrukturované heteropřechody pro chemirezistory
• Růstové mechanismy jednodimenzionálních polovodičových struktur na paternovaných substrátech

Vybrané předchozí projekty:

Řešitel projektů:

• Elektroforetická depozice nanostrukturovaných vrstev ZnO a jejich využití při detekci nebezpečných plynů
• Výzkum kovových nanočástic elektroforeticky deponovaných na polovodičové sloučeniny III-V-N
• Úloha přechodových kovů a prvků vzácných zemin v přípravě materiálů na bázi InP pro detektory záření

Laboratoře:

• Laboratoř optické charakterizace materiálů
• Laboratoř elektronické charakterizace materiálů

Vybrané publikace:

1. Tiagulskyi S, Yatskiv R, Faitová H, Kučerová Š, Vaniš J, Grym J. Electrical properties of nanoscale p-n heterojunctions formed between a single ZnO nanorod and GaN substrate. Materials Science in Semiconductor Processing. 2020;107:104808. 
2. Tiagulskyi S, Yatskiv R, Faitová H, Kučerová Š, Roesel D, Vaniš J, et al. Highly Rectifying Heterojunctions Formed by Annealed ZnO Nanorods on GaN Substrates. Nanomaterials. 2020;10:508.
3. Yatskiv R, Tiagulskyi S, Grym J. Characterization of Graphite/ZnO Schottky Barriers Formed on Polar and Nonpolar ZnO Surfaces. physica status solidi (a). 2019;216:1800734.
4. Yatskiv R, Brus VV, Verde M, Grym J, Gladkov P. Electrical and optical properties of graphite/ZnO nanorods heterojunctions. Carbon. Oct 2014;77:1011-1019.
5. Yatskiv R, Grym J, Zdansky K, Piksova K. Semimetal graphite/ZnO Schottky diodes and their use for hydrogen sensing. Carbon. Aug 2012;50(10):3928-3933.
6. Yatskiv R, Grym J. Temperature-dependent properties of semimetal graphite-ZnO Schottky diodes. Appl Phys Lett. 2012;101(16):162106.
7. Cernohorsky O, Grym J, Yatskiv R, Pham VH, Dickerson JH. Insight into Nanoparticle Charging Mechanism in Nonpolar Solvents To Control the Formation of Pt Nanoparticle Monolayers by Electrophoretic Deposition. Acs Appl Mater Inter. 2016-Aug-3 2016;8(30):19680-19690.
8. Yatskiv R, Grym J, Gladkov P, et al. Room temperature hydrogen sensing with the graphite/ZnO nanorod junctions decorated with Pt nanoparticles. Solid State Electron. 2016;116:124-129.
9. Yatskiv R, Grym J, Verde M. Graphite/ZnO nanorods junction for ultraviolet photodetectors. Solid State Electron. Mar 2015;105:70-73.
10. Yatskiv R, Grym J, Brus VV, et al. Transport properties of metal–semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles. Semicond Sci Tech. 2014;29(4):045017.
11. Kosyachenko LA, Yatskiv R, Yurtsenyuk NS, Maslyanchuk OL, Grym J. Graphite/CdMnTe Schottky diodes and their electrical characteristics. Semicond Sci Tech. Jan 2014;29(1):015006.

Více informací:

• ORCID