Vývoj tlustých luminiscenčních heterostruktur s mnoha InGaN/GaN kvantovými jamami

V laboratoři luminiscence jsou studovány luminiscenční vlastnosti scintilačních nanoheterostruktur se superrychlou subnanosekundovou luminiscenční odezvou na ionizující záření připravených na bázi nitridových polovodičů metodou organokovové epitaxe ve skupině MOVPE  Alice Hospodkové.