Sponsor: Czech Science Foundation
Primary investigator: Jan Vaniš, Ph.D.
From: 2011
To: 2013
Popis projektu: Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie a spektroskopie jsou studovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs vložené mezi GaAlAs bariery. Na samouspořádaných kvantových tečkách s rozměrově shodnou základnou připravených různou technologií jsou srovnávány spektroskopické charakteristiky. Měření jsou realizována na kvantových tečkách rostených technikou epitaxe z molekulárních svazků (MBE) a epitaxí z organokovových sloučenin (MOVPE).
IPE carries out fundamental and applied research in the scientific fields of photonics, optoelectronics and electronics. In these fields, IPE generates new knowledge and develops new technologies.
