Pro optimalizaci scintilačních materiálů k teoretickým limitům je nutné porozumět procesům přenosu a zachycení náboje, roli strukturních defektů a technologickým možnostem při modifikacích zakázaného pasu a struktury. Tyto klíčové procesy budou sledovány na atomární úrovni v nových ultrarychlých nanoscintilátorech na bázi InGaN/GaN násobných kvantových jam, ZnO a CsPbBr3 nanostruktur perspektivních pro techniky time-of-flight, např. v lékařském zobrazování. Využijeme korelované experimenty kontinuální a pulzní EPR a rovněž ENDOR, a především nově nainstalované elektricky detekované magnetické resonance (EDMR, unikátní v ČR) společně s termoluminiscenční, a optickou a scintilační spektroskopií. Zaměříme se na podstatu strukturních defektů, vnitřních a nečistotami indukovaných lokalizovaných záchytných stavů a jejich vliv na scintilační odezvu a účinnost ovlivněných dále rozdělením přidaných dopantů. Komplexní analýza dat umožní zlepšit výkonnost dotyčných materiálu k intrinsickým limitům.
Nanoscintilátory na bázi ultrarychlých luminiscenčních struktur tvořených násobnými kvantovými jamami a komposity
Anotace