Hlavní oblastí mého výzkumu ve FZU jsou nitridové polovodiče. Zabývám se materiály, jako jsou GaN, InGaN nebo AlGaN. Náplní mé vědecké práce je především příprava epitaxních vrstev pomocí organokovové epitaxe z plynné fáze (MOVPE). Epitaxní struktury na bázi nitridových polovodičů našli uplatnění například v modrých světlo emitujících diodách, které jsou každodenní součástí našich životů. V rámci své vědecké práce se zabývám novým aplikačním směrem těchto struktur, kterým je scintilační detektor. Výhodou našich InGaN/GaN epitaxních struktur oproti běžně používaným scintilačním materiálům je větší účinnost a rychlejší dosvit. Další oblastí, kterou se zabývá naše skupina, jsou AlGaN/GaN struktury využitelné ve vysoce výkonných tranzistorech (HEMT – high electron mobility transistor).
ORCID 0000-0003-0725-484X
Researchgate Tomas_Hubacek
