Změření integrální a lokální hustoty stavů v kvantových tečkách InAs v GaAs/AlGaAs heterostrukturách pomocí BEEM/BEES

Rok: 2013

Ing. Jan Vaniš, Ph.D.

Spolupráce: FzÚ AVČR, ÚTIA AVČR

Doplnili jsme balistický elektronový mikroskop a spektroskop o prostorové měření balistického proudu, umožňující spolehlivé mapování hustot elektronových stavů v kvantových tečkách. Kvantová tečka je nanokrystal polovodiče v jiném polovodiči s větší šíří zakázaného pásu. Je schopna vázat elektrony, které nabývají diskrétních hodnot energie podobně jako u atomů. Toho se využívá při konstrukci nových součástek jako jsou nízkoprahové lasery, infračervené detektory či vysokohustotní optické paměti.

Nalevo: Mapa hustoty stavů v kvantové tečce pro energii 0.552 eV. Napravo: Integrální hustota stavů v celé kvantové tečce s Ib-V charakteristikou s vyznačeným rozštěpením hladiny.

Publikace:

1. Walachová, Jarmila ; Zelinka, Jiří ; Leshkov, Sergey ; Šroubek, Filip ; Pangrác, Jiří ; Vaniš, Jan. Integral and local density of states of InAs quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructure observed by ballistic electron emission spectroscopy near one-electron ground state. .i.Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures./i., 2013