datum: 25. 11. 2009 středa 15:00
jidelna, budova E

Povrch Si(111) před a po desorpci thallia

Dr. Pavel Kocan

Matematicko-fyzikalni fakulta Univerzity Karlovy, Praha

Thallium je výjimečné mezi ostatními kovy IIIA skupiny - jako jediné vzhledem
ke své hmotnosti vykazuje tzv. inert pair effect, díky kterému se v přírodě
vyskytuje nejen v trivalentní podobě, ale též jako monovalentní. Na povrchu
Si(111) při ohřevu na 300 C vzniká rekonstrukce 1x1, ve které je ideálně
zakončený povrch Si(111) pokryt monovrstvou thallia v monovalentním
stavu. Již při teplotě 350°C Ti desorbuje z povrchu a otevírá se ideálně
zakončený povrch. Analogicky k štípání křemíkového krystalu ve vakuu jsou
pozorovány metastabilní rekonstrukce Si - 2x1, sqrt3xsqrt3, 5x5, atd v
závislosti na dalším ohřevu vzorku. Diskutována bude struktura a stabilita
jednotlivých rekonstrukcí. Experimentální data získaná pomocí metod STM a
LEED ukazují, že i povrch Si(111) bez adsorbátu dokáže - po desetiletích jeho
studia - překvapit.