RNDr. Jiří Zavadil, CSc.

Oblasti vědeckého zájmu:

He has long experience in the calculation of electronic structure of solid surfaces and strongly localised defects in III-V semiconductors. Since 1993 he has been involved in the optical characterisation of semiconductor and glass materials and structures for optoelectronics, by means of electro and photoluminescence spectroscopy. In recent years he has been working both theoretically and experimentally in the research of electroluminescent spectra of InGaAsP/InP structures and diodes and in the modeling of their wave guiding properties. His major interest now is the study of luminescent properties of InP based semiconductors and chalcogenide glass materials doped with rare-earth elements and characterization of related structures and nanostructures.

Vzdělání:

1967: Graduated from Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, Prague

1972: RNDr in Theoretical Physics, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, Prague

1973: PhD in Physics, Institute of Physics, Czechoslovac Academy of Sciences, Prague

Současné projekty:

Člen projektů:

• Elektroforetická depozice časově proměnným elektrickým polem pro výzkum nových fyzikálních vlastností nanostrukturních materiálů

Vybrané předchozí projekty:

Řešitel projektů:

• Studie InP rozhraní s kovovými nanočásticemi pro monitorování plynů a záření znečišťujících látek v životním prostředí
• Optická biopsie v diagnostice kolorektální rakoviny
• Speciální skla pro optoelektroniku

Spoluřešitel projektů:

• Speciální skla na bázi oxidů těžkých kovů
• Nanostruktury řízených rozměrů
• Speciální skelné materiály pro fotonické aplikace
• Zkoumání využití jodidu olova pro rentgenové detekce (bilaterální projekt s DFG Německo)
• Speciální skla a vlákna pro aplikace v infračervené oblasti
• Optická biopsie v diagnostice kolorektální rakoviny

Člen projektů:

• Výzkum kovových nanočástic elektroforeticky deponovaných na polovodičové sloučeniny III-V-N
• Kovové nanovrstvy pro polovodičové čidlo a detekční sktruktury
• Pravidelné disperzní fotonové součásti pro kontrolu spektrálních, prostorových a časových charakteristik laserové diody záření - "Brightlight"
• Characterization of Low Defect Density Native Gallium Nitride Materials
• Využití specifických vlastností vzácných zemin při přípravě struktur InP detektorů záření
• Studium vlivu příměsí na elektrické a optoelektronické vlastnosti krystalů PbI2 pěstovaných z taveniny
• Využití prvků vzácných zemin při přípravě polovodičových materiálů na bázi InP a PbI2 pro detekci ionizujícího záření
• Pokročilé ferroelektrické materiály na bázi hybridních organicko-anorganických komponent

Vybrané publikace:

1. D. Ležal, J. Zavadil and M. Procházka: Sulfide, selenide and telluride glassy systems for optoelectronic applications, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 7 (5) (2005) 2281-2292.
2. K. Zdansky, J. Zavadil, L. Pekarek, V. Gorodynsklyy and H. Kozak: Investigation of copper doped InP single crystals grown by Czochralski technique for use in X-ray detection, phys. stat. sol (a) 202 (2005) 555-560. 
3. J. Zavadil, O. Procházková and P. Gladkov: Optical properties of InP layers prepared with the addition of Ce, Tm and Lu in the growth melt, Cryst. Res. Technol. 40 (2005) 498-502. 
4. L. Horák, J. Zavadil, V. Ducháč, S. Javorský, F. Kostka, A. Švec and D. Ležal: Autofluorescence spectroscopy of colorectal carcinoma-ex vivo study, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 8(1) (2006) 396-400. 
5. J. Zavadil, O. Prochazkova, K. Zdansky and P. Gladkov: Ce and Yb doped InP layers grown for radiation detection, phys stat sol (c) 4 (2007) 1444-1447 
6. J. Pedlíková, J. Zavadil, O. Procházková and D. Ležal: Special glasses for IR applications, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 9 (2007) 1679-1682. 
7. K. Žďánský, P. Kacerovský, J. Zavadil, J. Lorinčík and A. Fojtík: Layers of Metal Nanoparticles on Semiconductors Deposited by Electrophoresis from Solutions with Reverse Micelles, Nanoscale Res. Letters 2 (2007) 450-454. 
8. J. Zavadil, O. Procházková, K. Žďánský, P. Gladkov: Ce and Yb doped InP layers grown for radiation detection, phys. stat. sol. (c) 4 (2007) 1444-1447. 
9. J. Zavadil, O. Procházková, K. Žďánský, P. Gladkov: InP p-type epitaxial layers grown with the addition of rare-earth elements for use in radiation detection, J. Optoelectronics & Advanced Mat. 9 (2007) 1221-1226. 
10. Kaluzny J, Pedlikova J, Zavadil J, et al.: Changes of sulphide glasses caused by the presence of As, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 9 (2007) 3076-3078. 
11. Kubliha M, Kaluzny J, Pedlikova J, et al: Electrical and dielectrical properties of As-Se-Teglasses, , Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 9 (2007) 3082-3087. 
12. O. Procházková, J. Grym, L. Pekárek, J. Zavadil, K. Žďánský: InP based semiconductor structures for radiation detection, J. Mater Sci: Mater Electron 19 (2008) 770-775. 
13. O. Procházková, J. Grym, J. Zavadil, J. Lorinčík, K. Žďánský: Influence of Yb and Yb2O3 addition on the properties of InP layers, J. of Optoelectronics and Advanced Materials 10 (2008) 3261-3264. 
14. J. Zavadil, J. Pedlikova, K. Zdansky, R. Yatskiv, P. Kostka, D. Lezal: Preparation and characterization of telluride glasses, Journal of Non-Cryst. Solids 354 (2008) 486-491. 
15. M. Matuchova, K. Zdansky, J. Zavadil, A. Danilewsky, J. Maixner, D. Alexiew: Electrical, optical and structural properties of lead iodide, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS 20 (2008) 289-294. 
16. M. Matuchova, K. Zdansky, J. Zavadil: Lead iodide crystals prepared under stochiometric and nonstochiometric conditions, Materials Science and Engineering B, 165, (2009) 60-63 
17. M. Matuchova, K. Zdansky, J. Zavadil., A. Danilewsky, F. Riesz., M.A.S. Hassan, D. Alexiev, R. Kral: Study of the influence of the rare-earth elements on the properties of lead jodide, J. of Crystal Growth 311 (2009) 3557-3562. 
18. J. Grym, O. Procházková, J. Zavadil, K. Žďánský: LPE growth of InP layers from rare-earth melts for radiation detector structures, Materials Science and Engineering B 165 (2009) 94-97. 
19. J. Zavadil, P. Kostka, J. Pedlíková, K. Žďánský, M. Kubliha, V. Labaš, J. Kalužný: Electro-optical characterization of Ge-Se-Te glasses, J Non-Cryst Solids 355 (2009) 2083-2087. 
20. J. Kalužný, J. Pedlíková, J. Zavadil, V. Labaš, M. Kubliha, P. Kostka: Electrical methods for optimization of structural changes and defects in sulphide glasses, J Optoelectronics & Adv. Materials 11 (2009) 2053-2057. 
21. J. Kalužný, J. Pedlíková, P. Kostka, V. Labaš, , M. Kubliha, J. Zavadil, S. Minarik: Investigation of electrical and dielectric properties of Ge20Se80-xTex glasses doped by Er, Ho, Pr, J Optoelectronics & Adv. Materials 11 (2009) 2063-2068. 
22. K. Žďánský, J. Zavadil, P. Kacerovský, F. Kostka, and A. Fojtík: Electrophoretic deposition of reverse micelle metal nanoparticles, phys. stat. sol. (c) 6, No. 12 (2009) 2722-2724. 
23. K. Zdansky, J. Zavadil, P. Kacerovsky, J. Lorincik, J. Vanis, F. Kostka, O. Cernohorsky, A. Fojtik, J. Reboun, J. Cermak: Electrophoresis deposition of metal nanoparticles with reverse micelles onto InP, Int. J. Mat. Res. (formerly Z. Metallkd.) 100, No. 9 (2009) 1234-1238. 
24. M. Matuchova, K. Zdansky, J. Zavadil, J. Tonn, Mousa M. Jafar, A.N. Danilewsky, A. Croll, J. Maixner: Influence of non-stoichiometry on the quality of lead iodide for use in X-ray detection, Journal of Crystal Growth 312 (2010) 1233-1239. 
25. K. Zdansky, J. Zavadil, P. Kacerovsky, J. Lorincik, A. Fojtik: Deposition of Pd nanoparticles on InP by electrophoresis: dependence on electrode polarity, IEEE Transactions on Nanotechnology 9 (2010) 355-360.